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参数资料
| 型号： | 2SD2247BRR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-92(1), 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | 2SD2247BRR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2301 | 6 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2311 | 5 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2337 | 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD2337C-E | 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD2337D | 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD2247C | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 2SD2248 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:NPN EPITAXIAL TYPE (HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE APPLICATIONS FOR INDUCTIVE LOAD DRIVE) |
| 2SD2249 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification) |
| 2SD22490RA | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 5A MT-2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2249Q | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SC-71 |
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