参数资料
型号: 2SD2295
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 5 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装: TO-3P, 3 PIN
文件页数: 1/5页
文件大小: 32K
代理商: 2SD2295
2SD2295
Silicon NPN Triple Diffused
Application
CTV horizontal deflection output
Features
High breakdown voltage
V
CBO = 1500 V
Built-in damper diode type
Outline
TO-3P
1
2
3
1. Base
2. Collector
(Flange)
3. Emitter
ID
1
2
3
相关PDF资料
PDF描述
2SD2299 3 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2299 3 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2318F5TLEV 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2318F5TLU 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2318F5TLE 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SD2296 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power Bipolar Transistors
2SD2297 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power Bipolar Transistors
2SD2298 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power Bipolar Transistors
2SD2299 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power Bipolar Transistors
2SD2318TLU 功能描述:两极晶体管 - BJT D-PAK;BCE NPN SMT HFE RANK U RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2