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参数资料
| 型号： | 2SD2301 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 6 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-3PFM, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | 2SD2301 |
2SD2301
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
1500
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
800
V
Emitter to base voltage
V
EBO
6V
Collector current
I
C
6A
Collector peak current
I
C(peak)
7A
Collector surge current
I
C(surge)
16
A
Collector power dissipation
P
C*
1
50
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. Value at T
C = 25°C.
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
800
—
V
I
C = 10 mA, RBE = ∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
6—
—
V
I
E = 10 mA, IC = 0
Collector cutoff current
I
CES
—
500
A
V
CE = 1500 V, RBE = 0
DC current transfer ratio
h
FE
——
30
V
CE = 5 V, IC = 1 A
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
——
5
V
I
C = 5 A, IB = 1 A
Base to emitter saturation
voltage
V
BE(sat)
—
1.5
V
I
C = 5 A, IB = 1 A
Fall time
t
f
—
0.8
s
I
CP = 5 A, IB1 = 1 A, IB2 ≈ –2 A
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PDF描述 |
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