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参数资料
| 型号： | 2SD2342C |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 6 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 29K |
| 代理商： | 2SD2342C |
2SD2342
Silicon NPN Triple Diffused
Application
Low frequency power amplifier
Outline
1. Base
2. Collector
(Flange)
3. Emitter
TO-3P
1
2
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2342 | 6 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2353 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2367 | 3 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2334 | 5 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2368 | 3.5 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD2343 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD2345GSL | 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2345JSL | 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2351T106 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD2351T106V | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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