参数资料
型号: 2SD2353
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装: LEAD FREE, 2-10R1A, SC-67, 3 PIN
文件页数: 4/4页
文件大小: 137K
代理商: 2SD2353
2SD2353
2006-11-21
4
Collector-emitter voltage VCE (V)
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
Safe Operating Area
*: Single nonrepetitive
pulse Tc = 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
IC max (continuous)
IC max (pulsed)*
0.3
1
3
10
30
100
0.03
0.01
1 ms*
10 ms*
100 ms*
VCEO max
0.3
0.1
3
10
1
DC operation
Tc = 25°C
0.05
0.5
5
Pulse width tw (s)
rth – tw
T
ransie
nt
th
ermal
r
esi
st
an
ce
r th
(
°C
/W
)
0.001
1000
0.01
0.1
100
10
1
100
3
30
10
1
0.3
Curves should be applied in thermal limited area.
(single nonrepetitive pulse)
(1) Infinite heat sink
(2) No heat sink
(1)
(2)
相关PDF资料
PDF描述
2SD2367 3 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2334 5 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2368 3.5 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2332 3 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2369 4 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SD2353(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
2SD235800A 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 1A MT-2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SD235G 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB 50V 3A 1.5W BCE
2SD2374 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD2374AP 功能描述:TRANS NPN LF 80VCEO 3A TO-220D RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR