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参数资料
| 型号： | 2SD2394/E |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FN |
| 封装： | TO-220FN, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | 2SD2394/E |
2SD2394
Transistors
Power Transistor (60V, 3A)
2SD2394
!Features
1) Low saturation voltage.
(Typ. VCE(sat)
= 0.3V at IC / IB = 2A / 0.2A)
2) Excellent DC current gain characteristics.
3) Wide SOA (safe operating area).
!External dimensions
(Units : mm)
ROHM : TO-220FN
(2) Collector(Drain)
(3) Emitter(Source)
(1) Base(Gate)
0.75
0.8
2.54
(1)
(3)
(2)
(1)
2.54
(3)
(2)
5.0
8.0
14.0
15.0
12.0
1.3
1.2
10.0
3.2
φ
2.6
4.5
2.8
!Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°C)
Parameter
Single pulse, Pw
=100ms
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Limits
80
60
7
3
6
2
150
55
+150
Unit
V
A(DC)
A(Pulse)
W
25
W(Tc
=25°C)
°C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
!Packaging specifications and hFE
Type
2SD2394
TO-220FN
EF
500
Package
hFE
Code
Basic ordering unit (pieces)
!Electrical characteristics
(Ta = 25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
hFE
fT
Cob
80
60
7
100
8
35
10
1
320
V
A
V
VCE(sat)
0.8
V
MHz
pF
IC
= 50A
IC
= 1mA
IE
= 50A
VCB
= 60V
VEB
= 7V
IC/IB
= 2A/0.2A
VBE(sat)
1.5
V
IC/IB
= 2A/0.2A
VCE/IC
= 5V/0.5A
VCE
= 5V , IE = 0.5A , f = 5MHz
VCB
= 10V , IE = 0A , f = 1MHz
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Base-emitter saturation voltage
Measured using pulse current.
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