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参数资料
| 型号： | 2SD2403-GZ-AZ |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | 2SD2403-GZ-AZ |
2SD0592
SJC00344AED
3
ICEO T
a
TT
0
160
40
120
80
1
10
102
103
104
VCE = 10 V
Ambient temperature
Ta (°C)
I CE
O
(T
a)
I CE
O
(T
a
=25
°C
)
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2403-GX-AZ | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2403-GX | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2415-C | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2415-D | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2415-B | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SD2403-T1-AZ(GY) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN |
| 2SD2403-T1-AZ-GZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SD2406-Y(F) | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 80V 2A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2406-YF | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
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