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参数资料
| 型号： | 2SD2403-GZ |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 254K |
| 代理商： | 2SD2403-GZ |
Data Sheet D16156EJ2V0DS
3
2SD2403
TYPICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°°°°C)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2403-GY | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2425-AB3 | 5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD560-MB | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SA1222 | 500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1376A | 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD2403-T1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:NPN PWR Transistor,60V,3.0A,P-MINI MOLD3 |
| 2SD2403-T1-AZ(GY) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN |
| 2SD2403-T1-AZ-GZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SD2406-Y(F) | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 80V 2A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2406-YF | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
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