参数资料
型号: 2SD2406
厂商: Toshiba Corporation
英文描述: NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
中文描述: npn型三重扩散型(功率放大器应用)
文件页数: 1/3页
文件大小: 137K
代理商: 2SD2406
相关PDF资料
PDF描述
2SD2413 Silicon NPN triple diffusion planer type(For low-frequency output amplification)
2SD2414 High Current Switching Applications Power Amplifier Applications
2SD2414SM High Current Switching Applications Power Amplifier Applications
2SD2416 Silicon NPN epitaxial planer type darlington(For low-frequency amplification)
2SD2420 Silicon NPN triple diffusion planer type Darlington(For power amplification)
相关代理商/技术参数
参数描述
2SD2406-Y(F) 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 80V 2A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SD2406-YF 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
2SD241300L 功能描述:TRANS NPN 400VCEO .1A MINI PWR RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2413G0L 功能描述:TRANS NPN 400VCEO 100MA MINIP-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2414-SM(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: