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参数资料
| 型号： | 2SD2440-V |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 6 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | 2SD2440-V |
2SD2440
2006-11-21
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SD2440
Switching Application
High breakdown voltage: VCBO = 100 V
: VEBO = 18 V
Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.2 V (max) (IC = 5 A, IB = 1 A)
High speed: tf = 1 s (typ.) (IC = 5 A, IB = ±0.5 A)
High DC current gain: hFE = 200 (min) (VCE = 5 V, IC = 0.5 A)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
100
V
Collector-emitter voltage
VCEO
60
V
Emitter-base voltage
VEBO
18
V
DC
IC
6
Collector current
Pulse
ICP
12
A
Base current
IB
2
A
Collector power dissipation
(Tc = 25°C)
PC
40
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-16F1A
Weight: 5.8 g (typ.)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2440-GR | 6 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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参数描述 |
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