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参数资料
型号： 2SD2453R
厂商： PANASONIC CORP
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： ROHS COMPLIANT, U-G2, SC-63, 3 PIN
文件页数： 1/3页
文件大小： 229K
代理商： 2SD2453R
Power Transistors
1
Publication date: September 2003
SJD00268AED
2SD2453
Silicon NPN triple diffusion planar type
For high current transfer ratio and power amplification
■ Features
High forward current transfer ratio h
FE
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
■ Absolute Maximum Ratings T
a
= 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
80
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
60
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
6V
Collector current
IC
2A
Peak collector current *
ICP
4A
Base current
IB
1A
Collector power
TC = 25°CPC
10
W
dissipation
1
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
IC = 25 mA, IB = 060
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
ICBO
VCB = 80 V, IE = 0
100
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
ICEO
VCE
= 40 V, I
B
= 0
100
A
Emiter-base cutoff current (Collector open)
IEBO
VEB = 6 V, IC = 0
100
A
Forward current transfer ratio *
hFE
VCE = 4 V, IC = 0.5 A
500
2 500
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC
= 2 A, I
B
= 0.05 A
1
V
Transition frequency
fT
VCE = 12 V, IC = 0.2 A, f = 10 MHz
50
MHz
■ Electrical Characteristics T
a = 25°C
6.5±0.1
2.3±0.1
(5.3)
(4.35)
(3.0)
(1.8)
(5.5)
0.75±0.1
2.3±0.1
4.6±0.1
123
0.5±0.1
1.0±0.1
0.1±0.05
0.5±0.1
0.8
max.
1.0
±
0.2
7.3
±
0.1
1.8
±
0.1
2.5
±
0.1
5.3±0.1
4.35±0.1
Unit: mm
1: Base
2: Collector
3: Emitter
EIAJ: SC-63
U-G2 Package
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *: Rank classification
Rank
Q
R
S
hFE
500 to 1 000
800 to 1 500
1 200 to 2 500
Note) Self-supported type package is also prepared.
Note) Non-repetitive peak collector current
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
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following
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latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
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PDF描述
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参数描述
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2SD24590SL 功能描述:TRANS NPN 150VCEO 1A MINI PWR RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SD246 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 1500V 4.5A 16W BEC
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