收藏本站
参数资料
型号： 2SD2561P
厂商： SANKEN ELECTRIC CO LTD
元件分类： 功率晶体管
英文描述： 17 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装： MT-200, 3 PIN
文件页数： 1/1页
文件大小： 28K
代理商： 2SD2561P
157
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1648)
Application : Audio, Series Regulator and General Purpose
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PC
Tj
Tstg
Ratings
150
5
17
1
200(Tc=25°C)
150
–55 to +150
Unit
V
A
W
°C
sAbsolute maximum ratings
sElectrical Characteristics
Symbol
ICBO
IEBO
V(BR)CEO
hFE
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
COB
Ratings
100max
150min
5000min
2.5max
3.0max
70typ
120typ
Unit
A
V
MHz
pF
Conditions
VCB=150V
VEB=5V
IC=30mA
VCE=4V, IC=10A
IC=10A, IB=10mA
VCE=12V, IE=–2A
VCB=10V, f=1MHz
Darlington
2SD2561
(Ta=25°C)
Safe Operating Area (Single Pulse)
I C– V CE Characteristics (Typical)
0
10
5
15
17
24
6
Collector-Emitter Voltage V CE(V)
Collector
Current
I
C
(A)
50mA
I B=0.3mA
0.5mA
0.8mA
2mA
1.0mA
10mA
1.5mA
3mA
V CE(sat) – I B Characteristics (Typical)
0
3
2
1
0.2
1
0.5
10
5
200
100
50
Base Current I B(mA)
Collector-Emitter
Saturation
Voltage
V
CE(sat)
(V)
I C=.15A
I C=.10A
I C=.5A
I C– V BE Temperature Characteristics (Typical)
0
15
17
5
10
0
2
2.6
1
Base-Emittor Voltage V BE(V)
Collector
Current
I
C
(A)
(V CE=4V)
125C
(Case
Temp)
25C
(Case
Temp)
–30C
(Case
Temp)
h FE– I C Characteristics (Typical)
Collector Current I C(A)
02
0.5
1
1 0
1 7
5
50000
1000
5000
10000
500
DC
Current
Gain
h
FE
(V CE=4V)
Typ
02
0.5
1
1 0
1 7
5
50000
1000
5000
10000
500
DC
Current
Gain
h
FE
(V CE=4V)
h FE– I C Temperature Characteristics (Typical)
Collector Current I C(A)
125C
–30C
25C
Time t(ms)
0.1
1
2
0.5
1
1 0
100
1000
2000
Transient
Thermal
Resistance
θ
j-a
(C/W)
θj-a–t Characteristics
f T– I E Characteristics (Typical)
–0.02
–0.1
–1
–10
0
20
40
80
60
Cut-off
Frequency
f
T
(MH
Z
)
(V CE=12V)
Emitter Current I E(A)
Pc – T a Derating
200
160
120
80
40
5
0
2 5
5 0
7 5
100
125
150
Ambient Temperature Ta(C)
Maximum
Power
Dissipation
P
C
(W)
With
Infinite
heatsink
Without Heatsink
10
50
5
3
100
200
0.05
1
0.5
0.1
10
50
5
DC
100ms
10ms
Collector-Emitter Voltage V CE(V)
Collector
Current
I
C
(A)
Without Heatsink
Natural Cooling
External Dimensions MT-200
2
3
1.05
+0.2
-0.1
BE
5.45±0.1
2-3.2±0.1
36.4±0.3
9
24.4±0.2
7
21.4
±0.3
20.0min
4.0max
0.65
+0.2
-0.1
3.0
+0.3
-0.1
6.0±0.2
2.1
a
b
C
Weight : Approx 18.4g
a. Part No.
b. Lot No.
sTypical Switching Characteristics (Common Emitter)
VCC
(V)
40
RL
(
)
4
IC
(A)
10
VBB2
(V)
–5
IB2
(mA)
–10
ton
(
s)
0.8typ
tstg
(
s)
4.0typ
tf
(
s)
1.2typ
IB1
(mA)
10
VBB1
(V)
10
B
C
E
(70
)
Equivalent circuit
hFE Rank O(5000to12000), P(6500to20000), Y(15000to30000)
相关PDF资料
PDF描述
2SD2599 3.5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2634 8 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2649 6 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2661T100 2000 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD648A 400 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SD2562 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Bulk 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS NPN DARL 150V 15A TO3PF
2SD256500A 功能描述:TRANS NPN 400VCEO 500MA MT-2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SD25730QA 功能描述:TRANS NPN 60VCEO 3A MT-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2576 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD2578 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR2SD2578-RG
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*