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参数资料
| 型号： | 2SD2634 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-3PMLH, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | 2SD2634 |
2SD2634
No.6474-2/4
0
1
357
9
0
24
6
8
1
2
3
4
5
6
7
8
10
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
0.1
1.0
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
23
5
7
2
3
5
7
1.0
10
VCE(sat) -- IC
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
2
3
4
5
6
7
8
9
0
1
3
2
1.0
10
0.1
1.0
10
23
5
7
2
3
5
7
5
7
3
2
5
Collector Current, IC -- A
hFE -- IC
DC
Current
Gain,
h
FE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
IC -- VBE
Collector
Current,
I
C
-
A
0.2A
0.05A
0.4A
0.6A
0.8A
1.0A
2.0A
1.2A
1.4A
1.6A
1.8A
IC -- VCE
-40
°C
25
°C
Ta=120
°C
IT01800
IT01802
IT01801
IT01803
VCE=5V
25
°C
-40
°C
T
a=120
°C
IC / IB=5
25°C
25
°C
Ta
=--40
°C
Ta
=
--40
°C
120°C
IB=0
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
120
°C
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=4.5A, IB=0.9A
3
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=4.5A, IB=0.9A
1.5
V
DC Current Gain
hFE1VCE=5V, IC=1A
10
hFE2VCE=5V, IC=5A
5
8
Diode Forward Voltage
VF
IEC=7A
2
V
Fall Time
tf
IC=3A, IB1=0.6A, IB2=--1.2A
0.3
s
Switching Time Test Circuit
VR
RB
VCC=200V
VBE= --2V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
66.7
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
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