型号: | 2SD2703TL |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | TUMT3, 3 PIN |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 91K |
代理商: | 2SD2703TL |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SD2716 | 6 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SD2721 | 12 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SD366 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
2SD388R | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
2SD424O | 15 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SD2704KT146 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANSISTOR BIPOLAR NPN; 30Vebo; 0.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD2705STP | 功能描述:TRANS NPN 20V 0.3A 3PIN SPT RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
2SD2707T2LV | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 50V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD2707T2LW | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD2719(TE85L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Darlington Trans.NPN 60V 0.8A hfe2000min |