参数资料
型号: 2SD2703TL
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: TUMT3, 3 PIN
文件页数: 1/3页
文件大小: 91K
代理商: 2SD2703TL
2SD2703
Transistors
Rev.B
1/2
General purpose amplification (30V, 1A)
2SD2703
Application
Low frequency amplifier
Features
1) A collector current is large.
2) Collector saturation voltage is low.
VCE(sat) ≦ 350mV
At IC = 500mA / IB = 25mA
Dimensions (Unit : mm)
ROHM : TUMT3
(1) Base
(2) Emitter
(3) Collector
Abbreviated symbol : EU
0.2Max.
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Unit
1
VCBO
V
Collector-base voltage
VCEO
V
Collector-emitter voltage
VEBO
V
Emitter-base voltage
IC
A
ICP
A
Collector current
PC
W
Power dissipation
Tj
°C
Junction temperature
Tstg
Limits
30
6
1
2
0.4
0.8
150
55 to +150
°C
Range of storage temperature
Single pulse, PW
=1ms
2
Mounted on a 25
×25× 0.8mm Ceramic substrate
1
2
t
Packaging specifications
2SD2703
TL
3000
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ. Max.
Unit
Conditions
30
V
IC
=10A
Collector-base breakdown voltage
BVCBO
30
V
IC
=1mA
Collector-emitter breakdown voltage
BVCEO
6
V
IE
=10A
Emitter-base breakdown voltage
BVEBO
100
nA
VCB
=30V
Collector cutoff current
ICBO
Emitter cutoff current
100
nA
VEB
=6V
IEBO
120
350
mV
IC/IB
=500mA/25mA
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
270
680
VCE/IC
=2V/100mA
DC current gain
hFE
320
MHz VCE
=2V, IE=100mA, f=100MHz
Transition frequency
fT
7
pF
VCB
=10V, IE=0A, f=1MHz
Corrector output capacitance
Cob
Pulsed
相关PDF资料
PDF描述
2SD2716 6 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2721 12 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD366 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD388R 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2SD424O 15 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
相关代理商/技术参数
参数描述
2SD2704KT146 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANSISTOR BIPOLAR NPN; 30Vebo; 0.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SD2705STP 功能描述:TRANS NPN 20V 0.3A 3PIN SPT RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2707T2LV 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 50V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SD2707T2LW 功能描述:两极晶体管 - BJT 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SD2719(TE85L,F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Darlington Trans.NPN 60V 0.8A hfe2000min