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参数资料
| 型号： | 2SD468-B |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 28K |
| 代理商： | 2SD468-B |
2SD468
4
Collector to Emitter Saturation
Voltage vs. Collector Current
Collector Current IC (mA)
Collector
to
Emitter
Saturation
Voltage
V
CE(sat)
(V)
1
10
100
1,000
25
°C
Ta = 75
°C
IC = 10 IB
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
3
30
300
Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
Collector Current IC (mA)
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(MHz)
1,000
30
100
10
300
200
100
0
VCE = 2 V
Collector Output Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
Collector to Base Voltage VCB (V)
Collector
Output
Capacitance
C
ob
(pF)
f = 1 MHz
IE = 0
1
200
100
50
20
10
5
520
210
50
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SD468CTZ-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial |
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