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参数资料
| 型号： | 2SD755-F |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 29K |
| 代理商： | 2SD755-F |
2SD755, 2SD756, 2SD756A
4
Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
Collector Current IC (mA)
0.01
0.03
0.1
0.3
1.0
3
10
30
10
30
100
300
1,000
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(MHz)
VCE = 12 V
Collector Output Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
Collector
Output
Capacitance
C
ob
(pF)
Collector to Base Voltage VCB (V)
1
3
10
30
100
0.5
1.0
2
5
10
20
50
f = 1 MHz
IE = 0
Area of Safe Operation
5
10
20
50
100
200
500
Collector
Current
I
C
(mA)
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
100
50
20
10
5
2
1
IC (max) (DC Operation)
Ta = 25
°C
Pc
=
750
mW
(50 V, 15 mA)
(100 V, 6 mA)
2SD756
2SD755
2SD756A
(120 V, 5 mA)
(140 V, 4 mA)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD755E | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD755F | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD755 | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD756A | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD768K | 6 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD756 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD756A | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD756AD | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-226VAR |
| 2SD756-AD | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SD756D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92VAR |
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