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参数资料
| 型号： | 2SJ0364O |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 20 mA, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 封装： | SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | 2SJ0364O |
239
Silicon Junction FETs (Small Signal)
unit: mm
2SJ0364 (2SJ364)
Silicon P-Channel Junction FET
For analog switch
I Features
G Low ON-resistance
G Low-noise characteristics
1: Source
2: Drain
EIAJ: SC-70
3: Gate
SMini3-G1 Package
I Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Parameter
Gate to Drain voltage
Drain current
Gate current
Allowable power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Symbol
VGDS
ID
IG
PD
Tch
Tstg
Ratings
65
20
10
150
55 to +150
Unit
V
mA
mW
°C
I Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Parameter
Drain to Source cut-off current
Gate to Source leakage current
Gate to Drain voltage
Gate to Source cut-off voltage
Forward transfer admittance
Drain to Source ON-resistance
Input capacitance (Common Source)
Reverse transfer capacitance (Common Source)
Symbol
IDSS*
IGSS
VGDS
VGSC
| Yfs |
RDS(on)
Ciss
Crss
Conditions
VDS =
10V, V
GS = 0
VGS = 30V, VDS = 0
IG = 10A, VDS = 0
VDS =
10V, I
D =
10A
VDS =
10V, I
D =
1mA, f = 1kHz
VDS = 10mV, VGS = 0
VDS = 10V, VGS = 0, f = 1MHz
min
0.2
65
1.8
max
6
10
3.5
Unit
mA
nA
V
mS
pF
* IDSS rank classification
Marking Symbol (Example): 4M
typ
1.5
2.5
300
12
4
Runk
IDSS (mA)
Marking Symbol
O
0.2 to 1
4MO
P
0.6 to 1.5
4MP
Q
1 to 3
4MQ
R
2.5 to 6
4MR
2.1
±0.1
1.3±0.1
0.3
+0.1
–0.0
2.0±0.2
1.25
±0.10
(0.425)
1
3
2
(0.65) (0.65)
0.2
±0.1
0.9
±0.1
0
to
0.1
0.9
+0.2 –
0.1
0.15
+0.10
–0.05
5°
10
°
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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