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参数资料
| 型号： | 2SJ161 |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SJ161 |
2SJ160, 2SJ161, 2SJ162
Silicon P-Channel MOS FET
ADE-208-1182 (Z)
1st. Edition
Mar. 2001
Application
Low frequency power amplifier
Complementary pair with 2SK1056, 2SK1057 and 2SK1058
Features
Good frequency characteristic
High speed switching
Wide area of safe operation
Enhancement-mode
Good complementary characteristics
Equipped with gate protection diodes
Suitable for audio power amplifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ162 | |
| 2SJ181(L) | |
| 2SJ181(S) | |
| 2SJ319(L) | |
| 2SJ319(S) | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ161(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SJ161-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ162 | 功能描述:MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SJ162-E | 功能描述:MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SJ163 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:For General Switching |
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