型号: | 2SJ201-O |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 12 A, 200 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封装: | LEAD FREE, 2-21F1B, 3 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 243K |
代理商: | 2SJ201-O |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SJ201 | 12 A, 200 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SJ204-A | 200 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
2SJ204-T1B | 200 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
2SJ204 | 200 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
2SJ206-T1 | 500 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SJ201Y | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247VAR |
2SJ201-Y | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:High-Power Amplifier Application |
2SJ201Y(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET P-CH 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL |
2SJ201-Y(F) | 功能描述:MOSFET MOSFET P-Ch 200V 12A Rdson 0.625 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
2SJ202 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING |