- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33472 > 2SJ351 POWER, FET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SJ351 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | POWER, FET |
| 封装： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SJ351 |
2SJ351, 2SJ352
6
Output
RL
Input
50
VDD =
–30V
.
PW = 50
s
duty ratio
= 1%
Switching Time Test Circuit
Input
Output
90%
10%
90%
ton
toff
Waveforms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ353 | 1500 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ353-AZ | 1500 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ355-T1-AZ | 2 A, 30 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ355-T2-AZ | 2 A, 30 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ360 | 1000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ351(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SJ351-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ352 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 200V 8A 3PIN TO-3P - Rail/Tube |
| 2SJ352-E | 功能描述:MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。