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参数资料
| 型号： | 2SJ352 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | POWER, FET |
| 封装： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SJ352 |
2SJ351, 2SJ352
Silicon P-Channel MOS FET
ADE-208-1193 (Z)
1st. Edition
Mar. 2001
Application
Low frequency power amplifier
Complementary pair with 2SK2220, 2SK2221
Features
High power gain
Excellent frequency response
High speed switching
Wide area of safe operation
Enhancement-mode
Good complementary characteristics
Equipped with gate protection diodes
Ordering Information
Type No.
V
DSX
2SJ351
–180 V
2SJ352
–200 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ351 | POWER, FET |
| 2SJ353 | 1500 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ353-AZ | 1500 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ355-T1-AZ | 2 A, 30 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ355-T2-AZ | 2 A, 30 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ352-E | 功能描述:MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SJ353 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
| 2SJ355 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SWITCHING |
| 2SJ355-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, P CHA |
| 2SJ355-T1(AZ) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Pch -30V }2A 0.35 SOT89 Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 2A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R |
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