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参数资料
| 型号： | 2SJ357-T1-AZ |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | COMPACT, MP-2, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 165K |
| 代理商： | 2SJ357-T1-AZ |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ357-T2-AZ | 3000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ382-TR | 4 A, 12 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 2SJ337-TR | 8 A, 12 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 2SK2317-TR | 4 A, 20 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 2SJ381-TC | 2 A, 12 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-243 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ358 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCH |
| 2SJ358-T1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R |
| 2SJ360 | 制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:MOS Field Effect Transistors |
| 2SJ360(F) | 功能描述:MOSFET P-Ch 4-V gate drive RDS 0.55Ohm -60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2SJ360(TE12L | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
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