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参数资料
| 型号： | 2SJ409(S) |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 20 A, 100 V, 0.22 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | LDPAK-3 |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SJ409(S) |
2SJ409(L), 2SJ409(S)
Silicon P-Channel MOS FET
ADE-208-1197 (Z)
1st. Edition
Mar. 2001
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
4 V Gate drive device can be driven from 5 V source
Suitable for Switching regulator, DC - DC converter
Outline
3
2
1
4
3
2
1
4
D
G
S
LDPAK
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ40B | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SJ40C | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SJ45 | 30 mA, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2SJ45M | 30 mA, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2SJ499TP-FA | 10000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ40CDTA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SJ410 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P-Channel MOS FET |
| 2SJ410-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ411 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL SIGNAL MOS FET FOR SWITCHING |
| 2SJ412 | 功能描述:MOSFET P-Ch 100V 16A Rdson 0.21 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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