型号: | 2SJ409(S)TL |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 20 A, 100 V, 0.22 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 100K |
代理商: | 2SJ409(S)TL |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SJ245(S)TL | 5 A, 60 V, 0.38 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SB1459TZ-E | 2000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SK1579DYTL | 2 A, 12 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SC1907TZ-E | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SK1764KYTR | 2 A, 60 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SJ40CDTA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
2SJ410 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P-Channel MOS FET |
2SJ410-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
2SJ411 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL SIGNAL MOS FET FOR SWITCHING |
2SJ412 | 功能描述:MOSFET P-Ch 100V 16A Rdson 0.21 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |