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参数资料
| 型号： | 2SJ413 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 50 A, 60 V, 0.03 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | TO-3PML, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 2SJ413 |
2SJ413
No.5366-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
60
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
250
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
900
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
350
ns
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--50A, VGS=0V
--1.0
--1.5
V
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7505-003
P.G
2SJ413
S
G
D
VOUT
VIN
0V
--10V
PW=10
s
D.C.
≤1%
50
ID= --25A
RL=1.2
VDD= --30V
16.0
5.6
3.1
2.0
12
3
2.8
2.0
5.45
22.0
20.4
1.0
0.6
4.0
21.0
5.0
8.0
3.5
3.4
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : TO-3PML
--50
--40
--30
--10
0
--20
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
--
10.0V
--4.0V
VGS= --2.0V
--3.0V
--8.0V
--6.0V
--5.0V
VDS= --10V
0
--20
--40
--60
--100
--10
--30
--50
--90
--80
--70
--1
--2
--3
--5
--4
--6
25
°C
75
°C
Tc=25
°C
ID= --25A
2
7
23
5
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--0.1
--1.0
2
7
35
--10
0.1
1.0
10
100
10
--1
0
--3
--4
--2
--5
--6
--7
--8
--9
--10
--11
--12
0
20
30
40
60
50
VDS= --10V
25°C
75°
C
7
35
--100
Tc=
--25
°C
IT11792
IT11793
IT11795
IT11794
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- VGS
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
ID -- VDS
Drain
Current,
I
D
--
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
ID -- VGS
Drain
Current,
I
D
--
A
Drain Current, ID -- A
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
S
yfs -- ID
Tc
=
--25
°C
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