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参数资料
| 型号： | 2SJ552(S) |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 20 A, 60 V, 0.095 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | LDPAK-3 |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | 2SJ552(S) |
2SJ552(L), 2SJ552(S)
Silicon P Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-651B (Z)
3rd. Edition
Jul. 1998
Features
Low on-resistance
R
DS(on) = 0.042 typ.
Low drive current.
4V gate drive devices.
High speed switching.
Outline
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
1
2
3
4
1
2
3
4
LDPAK
D
G
S
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ552L | 20 A, 60 V, 0.095 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SJ553S | 30 A, 60 V, 0.055 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ553S-E | 30 A, 60 V, 0.055 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ552STL-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ553 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SJ553(L) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262VAR |
| 2SJ553(S) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263VAR |
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