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参数资料
| 型号： | 2SJ583LS |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 3.5 A, 250 V, 1.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | TO-220FI-LS, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | 2SJ583LS |
2SJ583LS
No.6409–2/4
Continued from preceding page.
Switching Time Test Circuit
PW=10
s
D.C.
≤1%
0V
--10V
VIN
P.G
50
G
S
ID= --2A
RL=50
VDD= --100V
VOUT
2SJ583LS
VIN
D
r
e
t
e
m
a
r
a
Pl
o
b
m
y
Ss
n
o
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n
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s
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CV S
D
z
H
M
1
=
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,
V
0
2
–
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6
3F
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M
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,
V
0
2
–
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=0
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D
V
,
V
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–
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,
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0
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–
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A
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.
3
–
=8
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h
C
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c
r
u
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S
-
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t
-
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t
a
Gs
g
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V
,
V
0
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–
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G
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,
V
0
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–
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5
.
3
–
=3
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-
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,
V
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G
I
,
V
0
1
–
=
D
A
5
.
3
–
=9
C
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g
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l
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V
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w
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F
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d
o
i
DV D
S
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V
,
A
5
.
3
–
=
S
G
0
=9
.
0
–5
.
1
–V
0
--2
--4
--6
--8
--10
--1
--3
--5
--7
--9
0
--2
--1
--3
--5
--4
--6
--7
ID -- VGS
VDS= --10V
0
--0.5
--1.0
--1.5
--5.0
--3.0
--2.5
--2
--2.0
--4.5
--4.0
--3.5
--4
--6
--8
--10
--1
--3
--5
--7
--9
ID -- VDS
V GS
= -
-10V
--8V
--7V
--6V
--5V
--9V
RDS(on) -- Tc
--6
--8
--10
--12
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
--14
--16
--18
--20
RDS(on) -- VGS
Tc=25
°C
ID= --2A
25°
C
75°C
Tc=
--
25
°C
IT01485
IT01486
IT01487
IT01488
--50
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
--25
0
25
50
75
100
125
150
Drain
Current,
I D
–A
Drain-to-Source Voltage, VDS –V
Drain
Current,
I D
–A
Gate-to-Source Voltage, VGS –V
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
–
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
–
Case Temperature, Tc – C
Marking : J583
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PDF描述 |
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| 2SJ596(TP-FA) | 8000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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参数描述 |
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| 2SJ585LS | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH 250V 6.5A TO-220FI |
| 2SJ586 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching |
| 2SJ587 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching |
| 2SJ588 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching |
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