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参数资料
| 型号： | 2SJ616 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 6 A, 30 V, 0.069 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 86K |
| 代理商： | 2SJ616 |
2SJ616
No.7270-3/4
0--4
100
1000
7
5
3
2
7
5
3
--20
--10
--14
--16
--2
--18
--6
--8
--12
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT04764
A S O
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
--10
--1.0
--0.1
--0.01
23
5
7
2
3
5
7
2
3
5
--0.1
--1.0
--10
IT04766
1.0
--0.1
--1.0
23
5
7
--10
23
5
7
2
57
100
7
5
3
2
7
5
3
2
3
2
10
SW Time -- ID
IT04763
IT04762
--0.2
--0.6
--0.4
--0.8
--1.0
--1.2
--0.001
--0.01
--10
--1.0
--0.1
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
IS -- VSD
0
--2
--4
--6
--8
12
810
6
24
--10
--1
--3
--5
--7
--9
VGS -- Qg
IT04765
IT04761
--0.01
1.0
--0.1
23
5 7
23
5 7
57
--1.0
22
35 7 --10
10
7
5
3
2
0.1
7
5
7
5
3
2
yfs -- ID
VDS= --10V
75°
C
25°
C
Tc=
--25
°C
VGS=0V
--25
°C
25
°C
T
c=75
°C
VDD= --15V
VGS= --10V
td(on)
td(off)
t r
tf
f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
VDS= --10V
ID= --6A
100ms
DC
operation
1ms
100
μs
10ms
IDP= --24A
<10
μs
Operation in this area
is limited by RDS(on).
ID= --6A
Ta=25
°C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (250mm2
0.8mm)
Drain Current, ID -- A
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
ns
Drain Current, ID -- A
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
S
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Source
Current,
I
S
--
A
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Ciss,
Coss,
Crss
-
pF
Total Gate Charge, Qg -- nC
Gate-to-Source
V
oltage,
V
GS
--
V
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
-
A
0
--2
--4
--6
--8
--10
50
100
150
200
250
300
0
50
100
150
200
0
--12
--14
--16
RDS(on) -- VGS
IT04759
RDS(on) -- Ta
IT04760
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
ID= --1.5A
--3A
Tc=25
°C
ID=
--1.5A,
VGS
= --4V
ID=
--3A,
VGS
= --10V
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Ω
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Ω
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Ambient Temperature, Ta --
°C
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PDF描述 |
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