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参数资料
| 型号： | 2SJ652 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML |
| 标准包装： | 100 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 28A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 14A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4360pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220ML |
| 包装： | 散装 |
2SJ652
Magazine Speci ? cation
2SJ652-1E
No.7625-5/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 445I23L30M00000 | CRYSTAL 30.00000 MHZ 12PF SMD |
| 445I23K30M00000 | CRYSTAL 30.00000 MHZ 8PF SMD |
| FXO-HC730R-4.9152 | OSC 4.9152 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| ABLJO-187.500MHZ | OSC 187.500 MHZ 3.3V SMD |
| SV-497AJM | ELECTRONIC VACUUM CLEANER 120V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ652_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| 2SJ652-1E | 功能描述:MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:30 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:180 mA 电阻汲极/源极 RDS（导通）:4.5 Ohms 配置: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-416 封装:Reel |
| 2SJ652-1EX | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PCH 4V DRIVE SERIES |
| 2SJ652-RA11 | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2SJ653 | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH 60V 37A TO-220ML |
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