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参数资料
| 型号： | 2SJ77 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 0.5 A, 160 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | 2SJ77 |
2SJ76, 2SJ77, 2SJ78, 2SJ79
Silicon P-Channel MOS FET
ADE-208-1179 (Z)
1st. Edition
Mar. 2001
Application
High frequency and low frequency power amplifier, high speed power switching
Complementary pair with 2SK213, 2SK214, 2SK215, 2SK216
Features
Suitable for direct mounting
High forward transfer admittance
Excellent frequency response
Enhancement-mode
Outline
1
2
3
TO-220AB
1. Gate
2. Source
(Flange)
3. Drain
D
G
S
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ76 | 0.5 A, 140 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK1014-01 | 12 A, 500 V, 0.74 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P |
| 2SK1017 | 20 A, 450 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK1052 | 0.5 A, 450 V, 7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK1056 | 7 A, 120 V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ77-E | 功能描述:MOSFET P-CH 160V 0.5A TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SJ77K | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 160V V(BR)DSS | 500MA I(D) | TO-220 |
| 2SJ78 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P-Channel MOS FET |
| 2SJ78(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SJ78-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
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