型号: | 2SK0663P |
厂商: | PANASONIC CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 30 mA, 55 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
封装: | ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN |
文件页数: | 3/4页 |
文件大小: | 206K |
代理商: | 2SK0663P |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SK663Q | 30 mA, 55 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
2SK1008-01 | 4.5 A, 500 V, 2.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
2SK1011-01 | 10 A, 450 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SK1015-01 | 18 A, 450 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SK1028 | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SK0664 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:For Switching |
2SK0664(2SK664) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:小信号デバイス - 小信号FET - MOS FET |
2SK066400L | 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
2SK0664G0L | 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
2SK0665 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon MOS FETs |