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参数资料
| 型号： | 2SK1153 |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | 2SK1153 |
2SK1167, 2SK1168
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
2SK1167
V
DSS
450
V
2SK1168
500
Gate to source voltage
V
GSS
±30
V
Drain current
I
D
15
A
Drain peak current
I
D(pulse)*
1
60
A
Body to drain diode reverse drain current
I
DR
15
A
Channel dissipation
Pch*
2
100
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Notes: 1. PW 10 s, duty cycle 1%
2. Value at T
C =
25°C
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 2SK1153-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK1154 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1154-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
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