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参数资料
| 型号： | 2SK1154 |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | 2SK1154 |
2SK1167, 2SK1168
4
Power vs. Temperature Derating
150
100
50
0
Channel
Dissipation
Pch
(W)
50
100
150
Case Temperature TC (°C)
Maximum Safe Operation Area
100
30
10
3
0.1
1
3
10
30
100
300
1,000
Drain to Source Voltage VDS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
1.0
0.3
Operation in this area
is limited by RDS (on)
1 ms
10
s
100
s
Ta= 25°C
PW
=
10
ms
(1Shot)
DC
Operation
(T
C =25°C)
2SK1168
2SK1167
Typical Output Characteristics
20
12
8
4
0
4
8
12
20
Drain to Source Voltage VDS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
6 V
16
VGS = 4V
Pulse Test
4.5 V
5.0 V
5.5 V
10 V
Typical Transfer Characteristics
20
16
8
4
0
24
6
8
10
Gate to Source Voltage VGS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
12
TC = 25°C
75°C
–25°C
VDS = 20 V
Pulse Test
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1155 | |
| 2SK1156 | |
| 2SK1157 | |
| 2SK1158 | |
| 2SK1159 | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK1154-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK1155 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1155(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1155-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
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