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参数资料
| 型号： | 2SK1352 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 7 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 132K |
| 代理商： | 2SK1352 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SK385 | 10 A, 400 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK1333 | 15 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK387 | 12 A, 150 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SK1356 | 制造商:Toshiba 功能描述:Cut Tape |
| 2SK1357 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK1358 | 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
| 2SK1359 | 功能描述:MOSFET N-CH 1KV 5A TO-3PN RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK1359(F) | 功能描述:MOSFET N-Ch FET RDS 3.0 Ohm IDSS 300uA VDSS 1kV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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