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参数资料
| 型号： | 2SK1366 |
| 厂商： | SANKEN ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 2 A, 400 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | 2SK1366 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4622 | 7 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB757 | 15 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3P |
| 2SC2047R | 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3PF |
| 2SC2656 | 7 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3P |
| 2SC3866 | 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220F17 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK1371 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-3 |
| 2SK1372 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-3 |
| 2SK1374 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK137400L | 功能描述:MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK1374G0L | 功能描述:MOSFET N-CH 50V .05A SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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