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参数资料
| 型号： | 2SK1377 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 5.5 A, 400 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 132K |
| 代理商： | 2SK1377 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK358 | 5 A, 250 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK1112 | 5 A, 60 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK793 | 5 A, 850 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ147 | 12 A, 60 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220IS |
| 2SK891 | 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK1378 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:2SK1378 |
| 2SK1380 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-264AA |
| 2SK1381 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO-3PN RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK1381(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:N-CH,100V,50A, 0.031 OHM - Rail/Tube 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 100V 50A 0.032@10V TO3P(N) Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO-3PN 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
| 2SK1381_04 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L2−pai-MOSIII) Relay Drive, Motor Drive and DC−DC Converter |
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