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参数资料
| 型号： | 2SK1646 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
| 封装： | CP4, 4 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | 2SK1646 |
2SK1646
No.7546-2/4
Electrical Characteristics at Ta=25
°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Gate-to-Source Breakdown Voltage
V(BR)GSO
IGS=--10A
--5.0
V
Saturated Drain Current
IDSS
VDS=3V, VGS=0
30
45
70
mA
Cutoff Voltage
VGS(off)
VDS=3V, ID=100A
--0.5
--5.0
V
Forward Transfer Admittance
yfs
VDS=3V, ID=10mA
20
34
mS
Minimum Noise Figure
NFmin
VDS=3V, ID=10mA, f=12GHz
2.5
dB
Associated Gain
Ga
VDS=3V, ID=10mA, f=12GHz
5.0
dB
Maximum Available Gain
MAG
VDS=3V, ID=10mA, f=12GHz
7.0
dB
* : The 2SK1646 is classified by IDSS as follows.
IDSS RANK
RANGE (mA)
04
30 to 50
05
45 to 60
05H
45 to 70
S-Parameter
S11 VDS=3V, ID=10mA, 20mA
S12 VDS=3V, ID=10mA, 20mA
S21 VDS=3V, ID=10mA, 20mA
S22 VDS=3V, ID=10mA, 20mA
50
25
10
0
10
--10
--25
--50
--100
--150
1.0unit, max
0.25unit, max
5.0unit, max
1.0unit, max
--200
--250
100
150
200
250
100
150 250
<6GHz>
I D
=10mA
<3GHz>
3GHz
6GHz
<9GHz>
9GHz
<12GHz>
12GHz
<15GHz>
15GHz
50
25
90
120
150
±180
--150
--120
--90
0
60
30
--30
ID=10mA
90
120
150
±180
--150
--120
--90
--30
--60
0
60
30
50
25
10
0
10
25
--10
--25
--50
--100
--150
--200
--250
100
150
200
250
100
150
250
50
IT03192
IT03193
IT03194
IT03195
<12GHz>
12GHz
<15GHz>
15GHz
<9GHz>
9GHz
<6GHz>
6GHz
3GHz
--60
9GHz
12GHz
<6GHz>
6GHz
<9GHz>
<12GHz>
<15GHz>
15GHz
<3GHz>
3GHz
ID=20mA
I D
=10mA
<6GHz>
I D
=20mA
I D
=10mA
<3GHz>
3GHz
6GHz
<9GHz>
9GHz
<12GHz>
12GHz
<15GHz>
15GHz
ID=20mA
I D
=20mA
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