- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33485 > 2SK2148-01R 12 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3PF PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SK2148-01R |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 12 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3PF |
| 封装： | TO-3PF, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | 2SK2148-01R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2255-01MR | 18 A, 250 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F15 |
| 2SK2029-01S | 3 A, 900 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2003-01MR | 4 A, 600 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F15 |
| 2SK2257-01 | 17 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P |
| 2SK2213-01S | 10 A, 500 V, 0.76 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK2149 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR |
| 2SK214-E | 功能描述:MOSFET N-CH 160V 0.5A TO-220AB RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK214K | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500MA I(D) | TO-220AB |
| 2SK215 | 制造商:Hitachi 功能描述:15V .5A 30W Gds Hitachi Fet TO-220Ab N-Ch |
| 2SK215(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。