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参数资料
| 型号： | 2SK216K |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N -通道| 500mA的一（d）| TO - 220AB现有 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | 2SK216K |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2174(L) | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-262VAR |
| 2SK2174(S) | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK2174L | |
| 2SK2174S | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK2175 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK217 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Junction FET |
| 2SK2170 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Impedance Converter Applications |
| 2SK2171 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Frequency, High-Frequency Amp Analog Switch Applications |
| 2SK2173 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO-3PN RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK2173(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 50A 3PIN TO-3P(W) - Rail/Tube |
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