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参数资料
| 型号： | 2SK2220 |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N沟道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N沟道场效应晶体管（不适用沟道MOSFET的） |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 2SK2220 |
2SK2220, 2SK2221
Silicon N-Channel MOS FET
November 1996
Application
Low frequency power amplifier
Complementary pair with 2SJ351, 2SJ352
Features
High power gain
Excellent frequency response
High speed switching
Wide area of safe operation
Enhancement-mode
Good complementary characteristics
Equipped with gate protection diodes
Outline
1
2
3
TO-3P
1. Gate
2. Source
(Flange)
3. Drain
D
G
S
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SK2220-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 180V 8A 3PIN TO-3P - Rail/Tube 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 180V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube Tray 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET N TO-3P 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 180V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
| 2SK2221 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 8A 3PIN TO-3P - Rail/Tube |
| 2SK2221-E | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK2222 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-247VAR |
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