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参数资料
| 型号： | 2SK2315 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | SMALL SIGNAL, FET |
| 封装： | UPAK-3 |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 2SK2315 |
2SK2315
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
60
V
Gate to source voltage
V
GSS
±20
V
Drain current
I
D
2A
Drain peak current
I
D(pulse)*
1
4A
Body to drain diode reverse drain current
I
DR
2A
Channel dissipation
Pch*
2
1W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Notes
1. PW
≤ 10 s, duty cycle ≤ 1 %
2. When using the alumina ceramic board (12.5
× 20 × 0.7mm)
3. Marking is “TY”
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Drain to source breakdown
voltage
V
(BR)DSS
60
—
V
I
D = 10 mA, VGS = 0
Gate to source breakdown
voltage
V
(BR)GSS
±20
—
V
I
G = ±100 A, VDS = 0
Gate to source leak current
I
GSS
——
±5
AV
GS = ±16 V, VDS = 0
Zero gate voltage drain current I
DSS
——
5
AV
DS = 50 V, VGS = 0
Gate to source cutoff voltage
V
GS(off)
0.5
—
1.5
V
I
D = 1 mA, VDS = 10 V
Static drain to source on state
resistance
R
DS(on)
—
0.4
0.6
I
D = 0.3 A
V
GS = 3 V*
1
—
0.35
0.45
I
D = 1 A
V
GS = 4 V*
1
Forward transfer admittance
|y
fs|
1.5
1.8
—
S
I
D = 1 A
V
DS = 10 V*
1
Input capacitance
Ciss
—
173
—
pF
V
DS = 10 V
Output capacitance
Coss
—
85
—
pF
V
GS = 0
Reverse transfer capacitance
Crss
—
23
—
pF
f = 1 MHz
Turn-on time
t
on
—
21
—
ns
I
D = 1 A, RL = 30
Turn-off time
t
off
—
85
—
ns
V
GS = 10 V
Note
1. Pulse Test
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