型号: | 2SK2315TYTL-E |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 2 A, 60 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封装: | LEAD FREE, SC-62, UPAK-3 |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 166K |
代理商: | 2SK2315TYTL-E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2N2223A | 60 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-77 |
2SC3705-LS | 1.2 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
2N4905 | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
2SC4457N-RF | 4 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SK3432-ZJ-AZ | 83 A, 40 V, 0.0069 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SK2315TYTR | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A UPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
2SK2315TYTR-E | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
2SK2316 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
2SK2317 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Very High-Speed Switching Applications |
2SK2318 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Very High-Speed Switching Applications |