型号: | 2SK2378-YA |
厂商: | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 13 A, 200 V, 0.21 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 |
封装: | TO-220, 3 PIN |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 80K |
代理商: | 2SK2378-YA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SJ308-RB | 9 A, 250 V, 0.48 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 |
2SK2108-RB | 6 A, 250 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 |
2SK2058-CA | 25 A, 250 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218 |
2SK1441-YA | 8 A, 450 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 |
2SK2085 | 1000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SK2379 | 制造商:SANYO 功能描述:MOSFET, N CH, 200V, 20A, TO-220ML Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 200V 20A TO-220ML 制造商:Sanyo 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220ML |
2SK2380 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Junction FET |
2SK23800QL | 功能描述:JFET LOW FREQ.IMPEDANCE CONVRT RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> JFET(结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
2SK2381 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 5A 3PIN TO-220(NIS) - Rail/Tube |
2SK2381(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |