型号: | 2SK2379-RA |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 20 A, 200 V, 0.095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 |
封装: | TO-220, 3 PIN |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 80K |
代理商: | 2SK2379-RA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SK1434-YB | 60 A, 100 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218 |
2SJ320-YA | 4 A, 250 V, 1.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 |
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2SK1923-RA | 4 A, 600 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SK2380 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Junction FET |
2SK23800QL | 功能描述:JFET LOW FREQ.IMPEDANCE CONVRT RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> JFET(结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
2SK2381 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 5A 3PIN TO-220(NIS) - Rail/Tube |
2SK2381(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
2SK2381(F,T) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 200V 5A Rdson 0.8 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |