| 型号: | 2SK2395 |
| 厂商: | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述: | N-Channel Junction Silicon FET for Low-Noise HF Amplifier Applications(低噪声 HF放大器应用的N沟道结型场效应管) |
| 中文描述: | N沟道结硅场效应管,高频低噪声放大器的应用(低噪声高频放大器应用的?沟道结型场效应管) |
| 文件页数: | 1/3页 |
| 文件大小: | 96K |
| 代理商: | 2SK2395 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK2395F | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 50MA I(D) | SPAK |
| 2SK2395G | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 50MA I(D) | SPAK |
| 2SK2395H | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 50MA I(D) | SPAK |
| 2SK2397-01MR | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:N-channel MOS-FET |
| 2SK2398 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 45A TO-3PN RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |