| 型号: | 2SK2591 |
| 厂商: | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述: | Silicon N-Channel MOS FET(N沟道MOSFET) |
| 中文描述: | 硅N沟道场效应晶体管(不适用沟道MOSFET的) |
| 文件页数: | 1/4页 |
| 文件大小: | 22K |
| 代理商: | 2SK2591 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2625 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK2625LS | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK2627 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK2631 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK2684 | Silicon N Channel DV-L MOS FET(N沟道 DV-L MOSFET) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK2592 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-262AA |
| 2SK2593 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Junction FET |
| 2SK2593GQL | 功能描述:JFET N-CH 55V 30MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET(结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
| 2SK2593JQL | 功能描述:JFET N-CH 55V 30MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET(结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
| 2SK2593P | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 1MA I(DSS) | SC-75A |