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参数资料
| 型号： | 2SK2629 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 10 A, 600 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3PB |
| 封装： | SC-65, TO-3PB, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | 2SK2629 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2636 | 7 A, 800 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3PB |
| 2SK2635 | 5 A, 800 V, 2.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3PB |
| 2SK2661 | 5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK2678LS | 1.5 A, 600 V, 5.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2683 | 16 A, 250 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220FI |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK2631-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:Nch 800V 1A 10@10V TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 800V 1A TO251 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| 2SK2632LS | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220FI RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK2638-01MRSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK2640 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK2640-01MRSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
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