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参数资料
| 型号： | 2SK2735 |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道场效应晶体管高速电源开关 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | 2SK2735 |
2SK2735(L), 2SK2735(S)
3
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Drain to source breakdown
voltage
V
(BR)DSS
30
—
—
V
I
D
= 10mA, V
GS
= 0
Gate to source breakdown
voltage
V
(BR)GSS
±
20
—
—
V
I
G
=
±
100
μ
A, V
DS
= 0
Gate to source leak current
I
GSS
I
DSS
—
—
±
10
μ
A
μ
A
V
GS
=
±
16V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
Zero gate voltege drain
current
—
—
10
Gate to source cutoff voltage
V
GS(off)
1.0
—
2.0
V
I
D
= 1mA, V
DS
= 10V
I
D
= 10A, V
GS
= 10V*
1
I
D
= 10A, V
GS
= 4V*
1
I
D
= 10A, V
DS
= 10V*
1
V
DS
= 10V
V
GS
= 0
f = 1MHz
Static drain to source on state R
DS(on)
resistance
—
20
28
m
m
R
DS(on)
|y
fs
|
Ciss
—
35
50
Forward transfer admittance
8
16
—
S
Input capacitance
—
750
—
pF
Output capacitance
Coss
—
520
—
pF
Reverse transfer capacitance Crss
—
210
—
pF
Turn-on delay time
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DF
—
16
—
ns
I
D
= 10A, V
GS
= 10V
R
L
= 1
Rise time
—
225
—
ns
Turn-off delay time
—
85
—
ns
Fall time
—
90
—
ns
Body to drain diode forward
voltage
—
1.0
—
V
I
= 20A, V
= 0
diF/ dt = 50A/
μ
s
Body to drain diode reverse
recovery time
Note:
1. Pulse test
t
rr
—
40
—
V
I
= 20A, V
= 0
diF/ dt = 50A/
μ
s
See characteristics curves of 2SK2684
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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