型号: | 2SK2735S |
厂商: | Hitachi,Ltd. |
英文描述: | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
中文描述: | 硅?通道场效应晶体管高速电源开关 |
文件页数: | 3/7页 |
文件大小: | 39K |
代理商: | 2SK2735S |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SK2736(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
2SK2738(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
2SK2740 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
2SK2744 | 功能描述:MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
2SK2744(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN |