参数资料
型号: 2SK2788VYTL
元件分类: JFETs
英文描述: 2 A, 60 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件页数: 1/1页
文件大小: 100K
代理商: 2SK2788VYTL
相关PDF资料
PDF描述
2SC3521IKC01 100 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1566JIE 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC2462LD 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1666YI-UR 200 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1870CSUR 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SK2788VYTR-E 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 2A 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Nch MOSFET,60V,2A,0.12ohm,UPAK 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 2A 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R
2SK2789(Q) 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin (3+Tab) TO-220FL/SM
2SK2789-SM(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
2SK2792 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO-220FN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK2793 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件